نتایج جستجو برای: تقویتکننده کم نویز
تعداد نتایج: 50946 فیلتر نتایج به سال:
در این مقاله، یک مدار تقویتکننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستمهای مخابرات نوری ارائه میشود. در این مدار یک پیشتقویتکننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویتکننده امپدانس انتقالی میشود. د...
در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...
تقویت کننده های کم نویز یکی از اجزای اساسی در گیرنده های مخابراتی بی سیم هستند، زیرا عملکرد آنها کارآیی سیستم را از نقطه نظر نویز مشخص می نماید. تطبیق امپدانس مناسب در ورودی و خروجی تقویت کننده کم نویز، عددنویز پایین، خطسانی خوب و نیز بهره بالا به همراه مصرف توان پایین از ملاحظات مهم در طراحی تقویت کننده های کم نویز پهن باند هستند.
در سالهای اخیر ، رشد و توسعه تجهیزات مخابرات سیار و سیستم های قابل حمل سبب شده محققان و طراحان rf بر روی مدارات با ولتاژ و توان مصرفی کم تمرکز بیشتری داشته باشند . امروزه اکثر سیستم ها به صورت بیسیم می باشند و کاهش توان مصرفی امری ضروریست که سبب افزایش طول عمر باطری می شود . یکی از مهمترین بخش های گیرنده تقویت کننده کم نویز است که به عنوان اولین طبقه هر گیرنده محسوب می شود . مهمترین ویژگی lna ع...
بطور کلی موضوع اصلی این پایاننامه، آنالیز و طراحی تقویتکنندههای کم نویز خطی میباشد. برای این منظور در ابتدا به اصلاح رفتار غیرخطی یک نمونه تقویتکننده کم نویز پرداختهشده است بدین ترتیب که با اصلاح ساختاری در آن پارامتر نقطه برخورد ورودی (iip3 ) به اندازه 37db افزایش پیدا کرده و به مقدار +3dbm میرسد. البته این میزان خطسانی باعث کاهش گین مدار از 32db به حدود 22db ، افزایش 0.25db عدد نویز و...
در این طراحی توان مصرفی برابر p_dis=774?w، عددنویز معادل nf=0.93db، پارامتر های پراکندگی برابراند با s_11=-28.6db ، s_22=-17.6db ، s_21=28.2db و s_12=-64.6db ، بهره ولتاژ در خروجی معادل a_v=22.2db است و معیار خطینگی مدارiip_3=-12dbm و عدد شایستگی بدست آمده معادل fom=520?mw?^(-1) است.
در سال های اخیر تکنولوژی های مخابراتی پیشرفت بسیار زیادی داشته است، رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و افزایش تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا، برداشتن گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی های مخابراتی را ضرورتی اجتناب ناپذیر می نماید. یک گیرنده مخابراتی به عنوان یکی از ارکان سیستم های مخابراتی سیگنالی در حدود نانو ولت را دریافت می کند، بنابراین تقویت کننده کم نویز به عنوان دومین...
تقویتکنندههای کم نویز یکی از اجزای اساسی در گیرندههای مخابراتی بیسیم هستند، زیرا عملکرد آنها کارآیی سیستم را از نقطه نظر نویز مشخص مینماید. تطبیق امپدانس مناسب در ورودی و خروجی تقویتکننده کم نویز، عدد نویز پایین، خطسانی خوب و نیز بهره بالا به همراه مصرف توان پایین از ملاحظات مهم در طراحی تقویتکنندههای کم نویز پهنباند هستند. ساختارهای مختلف تقویتکننده کم نویز به همراه تکنیکهای به ...
کلمات کلیدی: گیرنده رادیویی، تقویت کننده کم نویز، cmos، پارامترهای پراکندگی، چنداستانداردی. در این پایان نامه یک مدار lna با قابلیت پیکربندی مجدد برای استانداردهای بی سیم طراحی شده است. برای طراحی این مدار یک طیف فرکانسی 4 الی 6 گیگاهرتز در نظر گرفته شده است و یک تقویت کننده با قابلیت پیکربندی مجدد برای این طیف فرکانسی طراحی شده است. این طیف فرکانسی، استانداردهایی مانند wlan، lan ، bluetooth و...
در این پژوهش طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز پهن باند که به عنوان اولین و مهم ترین بلوک در مدارات گیرنده مورد ساتفاده قرار میگیرند مورد بررسی قرار گرفته است.
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید